传三星计划2025年量产2nmGAA晶圆还将准备三款3nmGAA晶圆

据报道，环栅技术将应用于三星的2nm，韩国代工部门计划在2025年某个时候开始大规模生产该节点。业内消息人士称，该公司将提交一篇有关第三代GAA的论文在定于6月16日至20日在夏威夷举行的全球半导体会议“VLSISymposium2024”上，介绍了2nm(SF2)工艺中应用的特性。

三星尚未在3nmGAA节点上取得成功，这主要是由于良率不佳，导致与其他公司的合作伙伴关系不可行

这家韩国巨头将于2022年宣布推出3nmGAA工艺，根据最新报道，这家半导体制造商的目标是推出该技术的三个迭代，类似于台积电在自己的3nm节点上所做的事情，从独家的“N3B”开始苹果公司使用的。三星将环栅技术商业化，带来了多项优势。例如，它调节、放大和控制半导体内的电流。

随着这些变得越来越小，控制电流变得困难，但GAA通过重新设计晶体管架构来提高功率效率解决了这个问题。尽管有这些好处，但三星在确保各种客户供应其晶圆方面基本上未能成功，因为它继续遇到良率问题。再加上高昂的生产成本，该公司的潜在客户并不认为这种合作关系在经济上令人鼓舞。

此前，我们报道过三星的3nmGAA良率高达可怕的20%，但这家代工巨头成功扭转了局面，使这一数字达到了原来的三倍。然而，它的整体良率仍然落后于台积电，因此毫不奇怪，即使是高通和联发科也对这家半导体公司的技术表现出信心。三星在其GAA工艺中开发了一项名为“MBCFET”的专有技术，并且随着每一次3nm迭代，都有性能和效率改进的报告。

三星显然计划推出第三代3nmGAA技术，据称该技术可将功耗降低50%以上，并且由于面积减小而实现更高的集成度。也许通过未来的研究，三星可以提高其良率并将其提高到足够高的数字，以便客户开始对3nmGAA和2nmGAA版本表现出兴趣。

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