三星声称已开发出业界首款 512 GB DDR5 内存模块，运行速度为 DDR5-7200。专为服务器和企业使用而设计，三星在最近的 Hot Chips 半导体会议上分享了有关新RAM模块的详细信息。

在报道三星的演讲时，Tom's Hardware指出，新的 DDR5-7400 内存模块基于标准 DDR5 规格，运行电压为 1.1 伏，但与DDR4相比，性能提高了 40%，容量增加了一倍。

在演示中，三星分享了有关其已融入新模块的新特性和功能的技术细节，以提高其能源效率并支持更高的传输速率。

三星在其演示中将新内存模块的效率提高归功于使用了 Same-Bank 刷新 (SBR) 技术，与 DDR4-4200 类型 RAM 相比，该技术有助于使模块的能效至少提高 10%。

新内存模块的一项有趣创新有助于三星在不增加物理尺寸的情况下增加容量。该公司声称堆叠了八个 DDR5 芯片，但最终仍比四个堆叠的 DDR 芯片小，这要归功于薄晶圆处理技术，有助于将芯片之间的间隙减少多达 40% 并实现更薄的外形。

然而，DDR5 距离主流采用还有一段距离，三星预计要到 2023 年或 2024 年才会被大众市场采用。此外，Tom's Hardware指出，虽然 512GB DDR5 内存模块令人兴奋，但它适用于数据中心和服务器市场，消费者 DDR5 内存可能会达到 64GB。